Pamięci półprzewodnikowe stałe.
Pamięcią stałą (ang. ROM - Read Oniy Memory) nazywa się pamięć umożliwiającą podczas współpracy z innymi elementami mikrosystemu wyłącznie odczytywanie swojej zawartości.
Podstawowym elementem pamięci stałej o organizacji bajtowej jest matryca (rys.6), w której można wyróżnić linie bajtów w liczbie równej liczbie bajtów przechowywanej w pamięci, oraz linie bitów, których liczba jest równa osiem.
Każda linia bajtu odpowiada jednej komórce pamięci stałej. Zawartość tych komórek jest kodowana następująco:
- jeżeli bit bajtu przechowywanego w danej komórce jest równy O, to linia bajtu tej komórki nie jest sprzęgnięta z linią wymienionego bitu;
- jeżeli bit bajtu przechowywanego w danej komórce jest równy 1, to linia bajtu tej komórki jest sprzęgnięta z linią wymienionego bitu.
Dekoder adresów przetwarza adres bajtów na sygnał 1, wprowadzony tylko na tę linię bajtu, która odpowiada temu adresowi. W wyniku na liniach bitów sprzęgniętych z wymienioną linią bajtu pojawiają się sygnały 1, wprowadzone na wejścia wzmacniaczy
buforowych odczytu.
Do zmiany informacji przechowywanej w komórce pamięci stałej konieczna jest zmiana sprzężeń między linią bajtu tej komórki a liniami bitów. Elementarnymi sprzęgającymi mogą być rezystory, diody, tranzystory, inwertery MOS.
Rozróżnia się następujące typy pamięci stałych:
- Pamięci stałe maskowane (ang. Mask programmable ROM ), w których elementami sprzęgającymi są rezystory, usuwane lub wprowadzane w odpowiednie miejsca w jednej z ostatnich faz procesu produkcji tej pamięci. Zmiana programów zawartych w takiej pamięci nie jest możliwa.
- Pamięci stałe programowalne PROM (ang. Programmable ROM ),
najczęściej bipolarne, charakteryzujące się tym, że w stanie surowym mają wszystkie elementy sprzęgające, którymi są mikroskopijne rezystory niklowo-chromowe. Część ich jest przepalana podczas wpisywania informacji.
Pamięci stałe reprogramowalne, w których możliwa jest zmiana programu.za pomocą urządzenia zwanego ładowaczem pamięci stałej. Do pamięci tych należą:
- pamięci EPROM wpisywanie polega na wprowadzeniu ładunków elektrycznych do pojemności, rozładowujących się ze stałą czasową ok. 100 lat.
- pamięci EEPROM
- pamięci EAROM do których wpisywanie odbywa się podobnie jak do pamięci półprzewodnikowej o dostępie swobodnym, z tą różnicą że:
czas wpisywania jest długi, ok. 100//S, przy bardzo krótkim czasie odczytu pamięci te nie gubią zapisanej informacji przy zaniku napięcia zasilania.